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Evolution of arsenic in high fluence plasma immersion ion implanted silicon: behavior of the as-implanted dopant

Evolution of arsenic in high fluence plasma immersion ion implanted silicon: behavior of the as-implanted dopant

Kategorien Veröffentlichungen
Jahr 2015
Autoren V. Vishwanath, E. Demenev, D. Giubertoni, L. Vanzetti, A. L. Koh, G. Steinhauser, G. Pepponi, M. Bersani, F. Meirer, M. Foad
Veröffentlicht in Applied Surface Science 355 (2015) 792-799
DOI 10.1016/j.apsusc.2015.07.068