Evolution of arsenic in high fluence plasma immersion ion implanted silicon: behavior of the as-implanted dopant
Kategorien |
Veröffentlichungen |
Jahr | 2015 |
Autorinnen/Autoren | V. Vishwanath, E. Demenev, D. Giubertoni, L. Vanzetti, A. L. Koh, G. Steinhauser, G. Pepponi, M. Bersani, F. Meirer, M. Foad |
Veröffentlicht in | Applied Surface Science 355 (2015) 792-799 |
Beschreibung
DOI | 10.1016/j.apsusc.2015.07.068 |