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Evolution of arsenic in high fluence plasma immersion ion implanted silicon: behavior of the as-implanted dopant

Evolution of arsenic in high fluence plasma immersion ion implanted silicon: behavior of the as-implanted dopant

Kategorien Veröffentlichungen
Jahr 2015
Autorinnen/Autoren V. Vishwanath, E. Demenev, D. Giubertoni, L. Vanzetti, A. L. Koh, G. Steinhauser, G. Pepponi, M. Bersani, F. Meirer, M. Foad
Veröffentlicht in Applied Surface Science 355 (2015) 792-799
Beschreibung

DOI 10.1016/j.apsusc.2015.07.068